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STB33N65M2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STB33N65M2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- MDmesh™ M2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 24A（Tc） 190W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- STB33N65M2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | MDmesh™ M2 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1790 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | ¥81.10000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥39.040205 | ￥39.04 |
| 10+ | ￥35.058674 | ￥350.59 |
| 100+ | ￥28.722762 | ￥2872.28 |
| 500+ | ￥24.451251 | ￥12225.63 |
| 1000+ | ￥23.43355 | ￥23433.55 |
