DMG6602SVTQ-7
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- DMG6602SVTQ-7
- 制造商:
- Diodes美台
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.4A,2.8A 840mW 表面贴装型 TSOT-23
- 规格说明书:
- DMG6602SVTQ-7说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Diodes(美台) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A,2.8A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 60 毫欧 @ 3.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 400pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 840mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-23 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥3.49937 | ¥3.50 |
10+ | ¥2.854209 | ¥28.54 |
100+ | ¥1.941638 | ¥194.16 |
500+ | ¥1.455989 | ¥727.99 |
1000+ | ¥1.091986 | ¥1091.99 |
3000+ | ¥1.001002 | ¥3003.01 |
6000+ | ¥0.940316 | ¥5641.90 |