CSD16327Q3T
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- 制造商编号:
- CSD16327Q3T
- 制造商:
- TI德州仪器
- 系列:
- NexFET™
- 描述:
- MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 25 V 60A(Tc) 74W(Tc) 8-VSON-CLIP(3.3x3.3)
- 规格说明书:
- CSD16327Q3T说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | TI(德州仪器) |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 3V,8V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4 毫欧 @ 24A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.4 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | +10V,-8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1300 pF @ 12.5 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 74W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-VSON-CLIP(3.3x3.3) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 250 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥12.777831 | ¥12.78 |
10+ | ¥11.415698 | ¥114.16 |
100+ | ¥8.903788 | ¥890.38 |
250+ | ¥8.322665 | ¥2080.67 |
500+ | ¥7.354992 | ¥3677.50 |
1000+ | ¥6.158493 | ¥6158.49 |