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CSD85302LT
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- 制造商编号：
- CSD85302LT
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET 2N-CH
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 - - 1.7W 表面贴装型 4-Picostar（1.31x1.31）
- 规格说明书：
- CSD85302LT说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 1.7W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 4-XFLGA |
| 供应商器件封装 | 4-Picostar（1.31x1.31） |
| 标准包装 | 250 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 咨询客服
- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.680488 | ￥10.68 |
| 10+ | ￥9.577104 | ￥95.77 |
| 100+ | ￥7.463461 | ￥746.35 |
| 250+ | ￥6.976718 | ￥1744.18 |
| 500+ | ￥6.165434 | ￥3082.72 |
| 1000+ | ￥5.162506 | ￥5162.51 |
