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IXTP180N10T

IXYS photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IXTP180N10T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Trench
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 100 V 180A(Tc) 480W(Tc) TO-220-3
规格说明书:
IXTP180N10T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Trench
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 151 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6900 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 480W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥63.205237 ¥63.21
10+ ¥56.768448 ¥567.68
100+ ¥46.508568 ¥4650.86
500+ ¥39.591532 ¥19795.77
1000+ ¥33.390478 ¥33390.48
2000+ ¥32.523158 ¥65046.32

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