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    PMWD16UN,518

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    制造商编号：
    PMWD16UN,518
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 20V 9.9A 3.1W 表面贴装型 8-TSSOP
    规格说明书：
    PMWD16UN,518说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 停产
    FET 类型 2 N-通道（双）
    FET 功能 逻辑电平门
    漏源电压（Vdss） 20V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.9A
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 19 毫欧 @ 3.5A，4.5V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 700mV @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23.6nC @ 4.5V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1366pF @ 16V
    功率 - 最大值 3.1W
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
    供应商器件封装 8-TSSOP
    标准包装 2,500

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    DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated ¥3.38000 类似

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    标准包装
    2,500 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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