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BSM080D12P2C008

Rohm Semiconductor photo

图像仅供参考

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制造商编号:
BSM080D12P2C008
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
SIC POWER MODULE-1200V-80A
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) 80A(Tc) 600W 底座安装 模块
规格说明书:
BSM080D12P2C008说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 13.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 800pF @ 10V
功率 - 最大值 600W
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 12

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
12 / PCS
包装
托盘
单价:¥3043.456104 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3054.008065 ¥3054.01
12+ ¥3043.456104 ¥36521.47

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