IXTP86N20T
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- 制造商编号:
- IXTP86N20T
- 制造商:
- IXYS艾赛斯
- 系列:
- Trench
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 200 V 86A(Tc) 480W(Tc) TO-220-3
- 规格说明书:
- IXTP86N20T说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | IXYS(艾赛斯) |
系列 | Trench |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 86A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 90 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4500 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 480W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥53.220063 | ¥53.22 |
10+ | ¥47.838784 | ¥478.39 |
100+ | ¥39.19306 | ¥3919.31 |
500+ | ¥33.363953 | ¥16681.98 |
1000+ | ¥28.138333 | ¥28138.33 |
2000+ | ¥27.407489 | ¥54814.98 |