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DMG4511SK4-13

Diodes photo

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制造商编号:
DMG4511SK4-13
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道,共漏 35V 5.3A,5A 1.54W 表面贴装型 TO-252-4L
规格说明书:
DMG4511SK4-13说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道,共漏
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 35V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.3A,5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 850pF @ 25V
功率 - 最大值 1.54W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
供应商器件封装 TO-252-4L
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.352097 ¥7.35
10+ ¥6.468706 ¥64.69
100+ ¥4.962722 ¥496.27
500+ ¥3.923056 ¥1961.53
1000+ ¥3.138422 ¥3138.42
2500+ ¥2.844201 ¥7110.50
5000+ ¥2.674807 ¥13374.03

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