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FQT4N20LTF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FQT4N20LTF
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 200 V 850mA（Tc） 2.2W（Tc） SOT-223-4
- 规格说明书：
- FQT4N20LTF说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 850mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.35 欧姆 @ 425mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.2 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 310 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFL210TRPBF | Vishay Siliconix | ¥7.07000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.60676 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.104883 | ￥6.10 |
| 10+ | ￥5.404873 | ￥54.05 |
| 100+ | ￥4.144979 | ￥414.50 |
| 500+ | ￥3.277066 | ￥1638.53 |
| 1000+ | ￥2.621656 | ￥2621.66 |
| 2000+ | ￥2.60676 | ￥5213.52 |
| 4000+ | ￥2.60676 | ￥10427.04 |
