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STGWT30V60DF

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制造商编号:
STGWT30V60DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 258 W 通孔 TO-3P
规格说明书:
STGWT30V60DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,30A
功率 - 最大值 258 W
开关能量 383µJ(开),233µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 163 nC
25°C 时 Td(开/关)值 45ns/189ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 53 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
IXGR48N60C3D1 IXYS ¥88.93000 类似

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标准包装
30 / PCS
包装
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10+ ¥27.84564 ¥278.46

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