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BCR22PNH6327XTSA1
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- 制造商编号：
- BCR22PNH6327XTSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- -
- 描述：
- TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
- 详细描述：
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 130MHz 250mW 表面贴装型 PG-SOT363-6
- 规格说明书：
- BCR22PNH6327XTSA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 22 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 22 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 频率 - 跃迁 | 130MHz |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RN1963(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.69000 | 类似 |
| RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥2.15000 | 类似 |
| NSVMUN5212DW1T1G | onsemi | ¥3.15000 | 类似 |
| MUN5312DW1T1G | onsemi | ¥2.30000 | 类似 |
| DDTA144ECA-7-F | Diodes Incorporated | ¥1.77000 | 直接 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.909056 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.202547 | ￥4.20 |
| 18000+ | ￥0.909056 | ￥16363.01 |
