SCT30N120D2
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- 制造商编号:
- SCT30N120D2
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- -
- 描述:
- SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 1200 V 40A(Tc) 270W(Tc) HiP247™
- 规格说明书:
- SCT30N120D2说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | - |
包装 | 托盘 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss) | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 20A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 105 nC @ 20 V |
Vgs(最大值) | +25V,-10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1700 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 270W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | HiP247™ |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 490 |
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- 标准包装
- 490 / PCS
- 包装
- 托盘
单价:¥198.146805 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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490+ | ¥198.146805 | ¥97091.93 |