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SCT30N120D2

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制造商编号:
SCT30N120D2
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
详细描述:
通孔 N 通道 1200 V 40A(Tc) 270W(Tc) HiP247™
规格说明书:
SCT30N120D2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 托盘
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 100 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 105 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1700 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 270W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 HiP247™
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 490

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
490 / PCS
包装
托盘
单价:¥198.146805 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
490+ ¥198.146805 ¥97091.93

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