IPN60R2K0PFD7SATMA1
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- 制造商编号:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™PFD7
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 3A SOT223
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 3A(Tc) 6W(Tc) PG-SOT223-3-1
- 规格说明书:
- IPN60R2K0PFD7SATMA1说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™PFD7 |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 30µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 134 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 6W(Tc) |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT223 |
封装/外壳 | TO-261-3 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥3.149237 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥7.062268 | ¥7.06 |
10+ | ¥6.235435 | ¥62.35 |
100+ | ¥4.78021 | ¥478.02 |
500+ | ¥3.779084 | ¥1889.54 |
1000+ | ¥3.149237 | ¥3149.24 |
3000+ | ¥3.149237 | ¥9447.71 |