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FDR8508P

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制造商编号:
FDR8508P
制造商:
ON安森美
系列:
PowerTrench®
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 3A 800mW 表面贴装型 SuperSOT™-8
规格说明书:
FDR8508P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 PowerTrench®
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 750pF @ 15V
功率 - 最大值 800mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)
供应商器件封装 SuperSOT™-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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