FDR8508P
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- 制造商编号:
- FDR8508P
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- PowerTrench®
- 描述:
- MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 3A 800mW 表面贴装型 SuperSOT™-8
- 规格说明书:
- FDR8508P说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 52 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 750pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 800mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-LSOP(0.130",3.30mm 宽) |
供应商器件封装 | SuperSOT™-8 |
标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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