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MMBTA63LT1G

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制造商编号:
MMBTA63LT1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
TRANS PNP DARL 30V 500MA SOT23-3
详细描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 30 V 500 mA 125MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
规格说明书:
MMBTA63LT1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
晶体管类型 PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 1.5V @ 100µA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 5000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
频率 - 跃迁 125MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
2SB852KT146B Rohm Semiconductor ¥4.22000 类似
BCV26E6327HTSA1 Infineon Technologies ¥0.59133 类似
MMBTA63-7-F Diodes Incorporated ¥1.77000 直接
PMBTA64,215 Nexperia USA Inc. ¥2.30000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.319157 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥2.573749 ¥2.57
10+ ¥2.08138 ¥20.81
100+ ¥1.101863 ¥110.19
500+ ¥0.724927 ¥362.46
1000+ ¥0.492991 ¥492.99
3000+ ¥0.444649 ¥1333.95
6000+ ¥0.386634 ¥2319.80
15000+ ¥0.328644 ¥4929.66
30000+ ¥0.319157 ¥9574.71

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