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TK20G60W,RVQ
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- 制造商编号：
- TK20G60W,RVQ
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSIV
- 描述：
- MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
- 规格说明书：
- TK20G60W,RVQ说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 155 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1680 pF @ 300 V |
| FET 功能 | 超级结 |
| 功率耗散（最大值） | 165W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB30N80K5 | STMicroelectronics | ¥56.52000 | 类似 |
| STB28NM60ND | STMicroelectronics | ¥61.90000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥12.885033 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1000+ | ￥12.885033 | ￥12885.03 |
