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STWA30N65DM6AG

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制造商编号:
STWA30N65DM6AG
制造商:
ST意法半导体
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 28A(Tc) 284W(Tc) TO-247 长引线
规格说明书:
STWA30N65DM6AG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 110 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2000 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 284W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247 长引线
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期

大陆:7~10天送达

标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥38.564769 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥64.269123 ¥64.27
10+ ¥57.694252 ¥576.94
100+ ¥47.269076 ¥4726.91
500+ ¥40.239558 ¥20119.78
1000+ ¥38.564769 ¥38564.77

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