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SI4670DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4670DY-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 25V 8A 2.8W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4670DY-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 680pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 2.8W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥5.35673 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 2500+ | ￥5.35673 | ￥13391.82 |
