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IKD10N60RC2ATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IKD10N60RC2ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
TrenchStop™
描述:
IKD10N60RC2ATMA1
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 18.8 A 79 W 表面贴装型 PG-TO252-3
规格说明书:
IKD10N60RC2ATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 TrenchStop™
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 18.8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,10A
功率 - 最大值 79 W
开关能量 320µJ(开),170µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 48 nC
25°C 时 Td(开/关)值 14ns/250ns
测试条件 400V,10A,49 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 104 ns
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.432888 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.136969 ¥14.14
10+ ¥12.605153 ¥126.05
100+ ¥9.829607 ¥982.96
500+ ¥8.120414 ¥4060.21
1000+ ¥7.432888 ¥7432.89
2500+ ¥7.432888 ¥18582.22

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