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G3R20MT17N
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- G3R20MT17N
- 制造商：
- GeneSiC基因半导体公司
- 系列：
- G3R™
- 描述：
- SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
- 详细描述：
- 底座安装 N 通道 1700 V 100A（Tc） 523W（Tc） SOT-227
- 规格说明书：
- G3R20MT17N说明书
- 在线客服：
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- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC(基因半导体公司) |
| 系列 | G3R™ |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 75A，15V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 15mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 400 nC @ 15 V |
| Vgs（最大值） | ±15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10187 pF @ 1000 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 523W（Tc） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
| 标准包装 | 10 |
价格库存
- 库存
- 202
- 货期
- 大陆：7~10天
- 标准包装
- 10 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥1338.167945 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1371.03733 | ￥1371.04 |
| 10+ | ￥1338.167945 | ￥13381.68 |
