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FQB8N60CTM
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- 制造商编号：
- FQB8N60CTM
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 7.5A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- FQB8N60CTM说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1255 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.13W（Ta），147W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics | ¥25.57000 | 类似 |
| IRFBC40ASTRLPBF | Vishay Siliconix | ¥35.79000 | 类似 |
| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | ¥10.06000 | 类似 |
| IRFBC40ASPBF | Vishay Siliconix | ¥35.79000 | 类似 |
| R6004KNJTL | Rohm Semiconductor | ¥7.47192 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥10.831393 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥20.055348 | ￥20.06 |
| 10+ | ￥18.047327 | ￥180.47 |
| 100+ | ￥14.501397 | ￥1450.14 |
| 800+ | ￥11.914568 | ￥9531.65 |
| 1600+ | ￥10.831393 | ￥17330.23 |
