STGW50H65DFB2-4
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- 制造商编号:
- STGW50H65DFB2-4
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- HB2
- 描述:
- TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
- 详细描述:
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 86 A 272 W 通孔 TO-247-4
- 规格说明书:
- STGW50H65DFB2-4说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | HB2 |
封装/外壳 | TO-247-4 |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 86 A |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 150 A |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,50A |
功率 - 最大值 | 272 W |
开关能量 | 629µJ(开),478µJ(关) |
输入类型 | 标准 |
栅极电荷 | 151 nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 18ns/128ns |
测试条件 | 400V,50A,12 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | 92 ns |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247-4 |
标准包装 | 30 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥31.248856 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥50.132154 | ¥50.13 |
10+ | ¥45.051798 | ¥450.52 |
100+ | ¥36.909426 | ¥3690.94 |
500+ | ¥31.420353 | ¥15710.18 |
1000+ | ¥31.248856 | ¥31248.86 |