HUF75652G3
![ON photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Onsemi.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/ON/otUphJnP.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/ON/otUphJnP.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- HUF75652G3
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- UltraFET™
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 100 V 75A(Tc) 515W(Tc) TO-247-3
- 规格说明书:
- HUF75652G3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | UltraFET™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 毫欧 @ 75A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 475 nC @ 20 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7585 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 515W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 450 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IXTH75N10L2 | IXYS | ¥127.10000 | 类似 |
IXTX200N10L2 | IXYS | ¥271.78000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 450 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥76.598592 | ¥76.60 |
10+ | ¥69.163285 | ¥691.63 |
100+ | ¥57.259043 | ¥5725.90 |
500+ | ¥51.176203 | ¥25588.10 |