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CSD16325Q5C

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制造商编号:
CSD16325Q5C
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 25 V 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
规格说明书:
CSD16325Q5C说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 33A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 30A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) +10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4000 pF @ 12.5 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
CSD16325Q5 Texas Instruments ¥16.66000 直接

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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
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