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STGWA80H65DFB
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- 制造商编号：
- STGWA80H65DFB
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 120 A 469 W 通孔 TO-247 长引线
- 规格说明书：
- STGWA80H65DFB说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，80A |
| 功率 - 最大值 | 469 W |
| 开关能量 | 2.1mJ（开），1.5mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 414 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 84ns/280ns |
| 测试条件 | 400V，80A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 85 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 长引线 |
| 标准包装 | 30 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
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