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RN4910,LF

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制造商编号:
RN4910,LF
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装型 US6
规格说明书:
RN4910,LF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 1mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁 200MHz
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6
标准包装 3,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
MUN5216DW1T1G onsemi ¥1.92000 类似
UMH3NTN Rohm Semiconductor ¥3.15000 类似
DDC143TU-7-F Diodes Incorporated ¥3.30000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.488876 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥0.488876 ¥1466.63

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