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SI4100DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4100DY-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SOIC
- 规格说明书：
- SI4100DY-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 63 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥5.986938 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥13.179584 | ￥13.18 |
| 10+ | ￥11.773347 | ￥117.73 |
| 100+ | ￥9.179953 | ￥918.00 |
| 500+ | ￥7.583458 | ￥3791.73 |
| 1000+ | ￥5.986938 | ￥5986.94 |
| 2500+ | ￥5.986938 | ￥14967.35 |
