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IRF6613TRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF6613TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 40 V 23A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MT
- 规格说明书：
- IRF6613TRPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 毫欧 @ 23A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5950 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），89W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
| 标准包装 | 4,800 |
价格库存
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- 标准包装
- 4,800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥15.41197 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.30412 | ￥27.30 |
| 10+ | ￥24.502836 | ￥245.03 |
| 100+ | ￥19.696516 | ￥1969.65 |
| 500+ | ￥16.182565 | ￥8091.28 |
| 1000+ | ￥15.41197 | ￥15411.97 |
| 4800+ | ￥15.41197 | ￥73977.46 |
