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SIZ200DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ200DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET N-CH DUAL 30V
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 22A（Ta），61A（Tc），22A（Ta），60A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3）
- 规格说明书：
- SIZ200DT-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Ta），61A（Tc），22A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.5 毫欧 @ 10A，10V，5.8 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 28nC @ 10V，30nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1510pF @ 15V，1600pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4.3W（Ta），33W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（3.3x3.3） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.679449 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥10.30743 | ￥10.31 |
| 10+ | ￥9.204572 | ￥92.05 |
| 100+ | ￥7.17504 | ￥717.50 |
| 500+ | ￥5.927207 | ￥2963.60 |
| 1000+ | ￥4.679449 | ￥4679.45 |
| 3000+ | ￥4.679449 | ￥14038.35 |
