CSD17311Q5
![TI photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Texas Instruments.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/TI/T3oL3bqk.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/TI/T3oL3bqk.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- CSD17311Q5
- 制造商:
- TI德州仪器
- 系列:
- NexFET™
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
- 规格说明书:
- CSD17311Q5说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | TI(德州仪器) |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 3V,8V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 毫欧 @ 30A,8V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | +10V,-8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4280 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3.2W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-VSON-CLIP(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RJK0346DPA-01#J0B | Renesas Electronics America Inc | ¥9.10612 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥19.172445 | ¥19.17 |
10+ | ¥17.201627 | ¥172.02 |
100+ | ¥13.82445 | ¥1382.45 |
500+ | ¥11.357884 | ¥5678.94 |
1000+ | ¥10.325433 | ¥10325.43 |
2500+ | ¥10.325433 | ¥25813.58 |