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IPP052N06L3GXKSA1
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- 制造商编号：
- IPP052N06L3GXKSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3
- 规格说明书：
- IPP052N06L3GXKSA1说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 58µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8400 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 115W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | ¥15.82000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥9.684135 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.183194 | ￥17.18 |
| 10+ | ￥15.401463 | ￥154.01 |
| 100+ | ￥12.375878 | ￥1237.59 |
| 500+ | ￥10.168447 | ￥5084.22 |
| 1000+ | ￥9.684135 | ￥9684.14 |
