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A2T18S262W12NR3

NXP photo

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制造商编号:
A2T18S262W12NR3
制造商:
NXP恩智浦
系列:
-
描述:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28 V 1.6 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L
规格说明书:
A2T18S262W12NR3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 NXP(恩智浦)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 最后售卖
晶体管类型 LDMOS
频率 1.805GHz ~ 1.88GHz
增益 19.3dB
电压 - 测试 28 V
额定电流(安培) 10µA
噪声系数 -
电流 - 测试 1.6 A
功率 - 输出 231W
电压 - 额定 65 V
封装/外壳 OM-880X-2L2L
供应商器件封装 OM-880X-2L2L
标准包装 250

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ¥3.84000 类似
CGHV14800F Wolfspeed, Inc. ¥6,707.21000 类似
BLM8D1822S-50PBY Ampleon USA Inc. ¥336.68000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
250+ ¥1347.396453 ¥336849.11

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