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SIHD1K4N60E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHD1K4N60E-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- E
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 4.2A（Tc） 63W（Tc） D-Pak
- 规格说明书：
- SIHD1K4N60E-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | E |
| 包装 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.45 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 172 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STD5N60DM2 | STMicroelectronics | ¥7.14000 | 类似 |
| STD5N60M2 | STMicroelectronics | ¥13.52000 | 类似 |
| SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | ¥13.52000 | 类似 |
| IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | ¥5.53000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 散装
单价：￥5.278175 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.650255 | ￥11.65 |
| 10+ | ￥10.379544 | ￥103.80 |
| 100+ | ￥8.093632 | ￥809.36 |
| 500+ | ￥6.685779 | ￥3342.89 |
| 1000+ | ￥5.278175 | ￥5278.18 |
