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GA100JT12-227
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- 制造商编号：
- GA100JT12-227
- 制造商：
- GeneSiC基因半导体公司
- 系列：
- -
- 描述：
- TRANS SJT 1200V 160A SOT227
- 详细描述：
- 底座安装 - 1200 V 160A（Tc） 535W（Tc） SOT-227
- 规格说明书：
- GA100JT12-227说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC(基因半导体公司) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | - |
| 技术 | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 100A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14400 pF @ 800 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 535W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
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- 标准包装
- 10 / PCS
- 包装
- 管件
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