IRF7523D1
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- 制造商编号:
- IRF7523D1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- FETKY™
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8™
- 规格说明书:
- IRF7523D1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | FETKY™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 1.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 210 pF @ 25 V |
FET 功能 | 肖特基二极管(隔离式) |
功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | Micro8™ |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
标准包装 | 95 |
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- 标准包装
- 95 / PCS
- 包装
- 管件
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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