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IXTP2R4N120P
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- 制造商编号：
- IXTP2R4N120P
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Polar
- 描述：
- MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 1200 V 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IXTP2R4N120P说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Polar |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1207 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DMN95H8D5HCT | Diodes Incorporated | ¥10.06000 | 类似 |
| DMN90H8D5HCT | Diodes Incorporated | ¥9.45000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥35.874368 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥62.640326 | ￥62.64 |
| 10+ | ￥56.565283 | ￥565.65 |
| 100+ | ￥46.827933 | ￥4682.79 |
| 500+ | ￥40.777261 | ￥20388.63 |
| 1000+ | ￥35.874368 | ￥35874.37 |
