FDM606P
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- 制造商编号:
- FDM606P
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- PowerTrench®
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 6.8A(Tc) 1.92W(Ta) 8-MLP,MicroFET(3x2)
- 规格说明书:
- FDM606P说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 6.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2200 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.92W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-MLP,MicroFET(3x2) |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线裸焊盘 |
标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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