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TK090N65Z,S1F
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- 制造商编号：
- TK090N65Z,S1F
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- DTMOSVI
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 30A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 30A（Ta） 230W（Tc） TO-247
- 规格说明书：
- TK090N65Z,S1F说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | DTMOSVI |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1.27mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2780 pF @ 300 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
价格库存
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥29.648246 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥57.579863 | ￥57.58 |
| 10+ | ￥51.743545 | ￥517.44 |
| 100+ | ￥42.397479 | ￥4239.75 |
| 500+ | ￥36.091794 | ￥18045.90 |
| 1000+ | ￥30.438859 | ￥30438.86 |
| 2000+ | ￥29.648246 | ￥59296.49 |
