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STGP4M65DF2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGP4M65DF2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- M
- 描述：
- IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 68 W 通孔 TO-220
- 规格说明书：
- STGP4M65DF2说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | M |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 16 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值 | 68 W |
| 开关能量 | 40µJ（开），136µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 15.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/86ns |
| 测试条件 | 400V，4A，47 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 133 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.631817 | ￥9.63 |
| 10+ | ￥8.613922 | ￥86.14 |
| 100+ | ￥6.714117 | ￥671.41 |
| 500+ | ￥5.546354 | ￥2773.18 |
| 1000+ | ￥4.819362 | ￥4819.36 |
