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IXFH80N65X2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFH80N65X2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 80A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 80A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
- 规格说明书：
- IXFH80N65X2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 4mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 143 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8245 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 890W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247（IXTH） |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCH043N60 | onsemi | ¥131.71000 | 类似 |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥124.72000 | 类似 |
| APT77N60BC6 | Microchip Technology | ¥106.59000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥88.490688 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥136.259494 | ￥136.26 |
| 10+ | ￥125.248324 | ￥1252.48 |
| 100+ | ￥105.775986 | ￥10577.60 |
| 500+ | ￥94.09502 | ￥47047.51 |
| 1000+ | ￥88.490688 | ￥88490.69 |
