IMH9AT110
![Rohm Semiconductor photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Rohm Semiconductor.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Rohm Semiconductor/ELMWaYn7.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Rohm Semiconductor/ELMWaYn7.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Rohm Semiconductor/M3Q7p3lL.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- IMH9AT110
- 制造商:
- Rohm Semiconductor罗姆
- 系列:
- -
- 描述:
- TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
- 详细描述:
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装型 SMT6
- 规格说明书:
- IMH9AT110说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥4.023706 | ¥4.02 |
10+ | ¥3.054825 | ¥30.55 |
100+ | ¥1.903908 | ¥190.39 |
500+ | ¥1.302723 | ¥651.36 |
1000+ | ¥1.002131 | ¥1002.13 |
3000+ | ¥0.901926 | ¥2705.78 |
6000+ | ¥0.851806 | ¥5110.84 |
15000+ | ¥0.776644 | ¥11649.66 |
30000+ | ¥0.726547 | ¥21796.41 |
75000+ | ¥0.70905 | ¥53178.75 |