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NTD4806NA-1G
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- 制造商编号：
- NTD4806NA-1G
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 30 V 11.3A（Ta），79A（Tc） - I-PAK
- 规格说明书：
- NTD4806NA-1G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.3A（Ta），79A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2142 pF @ 12 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I-PAK |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
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- 标准包装
- 75 / PCS
- 包装
- 管件
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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