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IRFHS9351TRPBF

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IRFHS9351TRPBF
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 2.3A 1.4W 表面贴装型 6-PQFN(2x2)
规格说明书:
IRFHS9351TRPBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 170 毫欧 @ 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 160pF @ 25V
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装 6-PQFN(2x2)
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.062109 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.163541 ¥9.16
10+ ¥8.04079 ¥80.41
100+ ¥6.166678 ¥616.67
500+ ¥4.874531 ¥2437.27
1000+ ¥4.062109 ¥4062.11
4000+ ¥4.062109 ¥16248.44

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