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IXTY1R4N60P
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- 制造商编号：
- IXTY1R4N60P
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- PolarHV™
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 600 V 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
- 规格说明书：
- IXTY1R4N60P说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | PolarHV™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 欧姆 @ 700mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 70 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| AOD1N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥4.84000 | 类似 |
| STD1HN60K3 | STMicroelectronics | ¥7.53000 | 类似 |
| FQD1N60CTM | onsemi | ¥5.68000 | 类似 |
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- 70 / PCS
- 包装
- 管件
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