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IXBR42N170
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- 制造商编号：
- IXBR42N170
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- BIMOSFET™
- 描述：
- IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
- 详细描述：
- IGBT - 1700 V 57 A 200 W 通孔 ISOPLUS247™
- 规格说明书：
- IXBR42N170说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | BIMOSFET™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1700 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 57 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 300 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.9V @ 15V，42A |
| 功率 - 最大值 | 200 W |
| 开关能量 | - |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 188 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - |
| 测试条件 | - |
| 反向恢复时间 (trr) | 1.32 µs |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS247™ |
| 标准包装 | 30 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
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