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SI4946CDY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4946CDY-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 5.2A（Ta），6.1A（Tc） 2W（Ta），2.8W（Tc） 表面贴装型 8-SO
- 规格说明书：
- SI4946CDY-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Ta），6.1A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40.9 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 2W（Ta），2.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.828508 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.548982 | ￥9.55 |
| 10+ | ￥8.421257 | ￥84.21 |
| 100+ | ￥6.457623 | ￥645.76 |
| 500+ | ￥5.104652 | ￥2552.33 |
| 1000+ | ￥4.083719 | ￥4083.72 |
| 2500+ | ￥3.828508 | ￥9571.27 |
