您好,欢迎来到壹方微芯!

IXTA1R4N100PTRL

IXYS photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IXTA1R4N100PTRL
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Polar
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
详细描述:
表面贴装型 N 通道 1000 V 1.4A(Tc) 63W(Tc) TO-263(D2Pak)
规格说明书:
IXTA1R4N100PTRL说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Polar
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.8 欧姆 @ 700mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 450 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 63W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263(D2Pak)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥19.409337 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
800+ ¥19.409337 ¥15527.47

相关产品