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IXFN200N10P
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFN200N10P
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Polar
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
- 详细描述：
- 底座安装 N 通道 100 V 200A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
- 规格说明书：
- IXFN200N10P说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Polar |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 235 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7600 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 680W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
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- 标准包装
- 10 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥207.441309 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥263.343013 | ￥263.34 |
| 10+ | ￥242.924604 | ￥2429.25 |
| 100+ | ￥207.441309 | ￥20744.13 |
