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STD2N62K3

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制造商编号:
STD2N62K3
制造商:
ST意法半导体
系列:
SuperMESH3™
描述:
MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 620 V 2.2A(Tc) 45W(Tc) DPAK
规格说明书:
STD2N62K3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 SuperMESH3™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.6 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 340 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
SIHD2N80E-GE3 Vishay Siliconix ¥11.44000 类似
TSM4NB65CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation ¥16.28000 类似

价格库存

库存
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货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.562905 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.653865 ¥15.65
10+ ¥14.02631 ¥140.26
100+ ¥10.934081 ¥1093.41
500+ ¥9.032342 ¥4516.17
1000+ ¥7.56293 ¥7562.93
2500+ ¥7.562905 ¥18907.26

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