STD2N62K3
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- 制造商编号:
- STD2N62K3
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- SuperMESH3™
- 描述:
- MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 620 V 2.2A(Tc) 45W(Tc) DPAK
- 规格说明书:
- STD2N62K3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | SuperMESH3™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 620 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 340 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
SIHD2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | ¥11.44000 | 类似 |
TSM4NB65CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥16.28000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥7.562905 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥15.653865 | ¥15.65 |
10+ | ¥14.02631 | ¥140.26 |
100+ | ¥10.934081 | ¥1093.41 |
500+ | ¥9.032342 | ¥4516.17 |
1000+ | ¥7.56293 | ¥7562.93 |
2500+ | ¥7.562905 | ¥18907.26 |